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Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-80
2. I D = 1mA
-40 0 40 80 120
o
160
0.0
-80
2. I D = 3.4A
-40 0 40 80 120
o
160
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
_ FCPF7N60NT
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
100
8
20 μ s
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
10
1
0.1
DC
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
*Notes:
100 μ s
1ms
10ms
o
o
6
4
2
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
0.1
3. Single Pulse
1 10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
0
25
50 75 100 125
o
150
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FCPF7N60NT Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
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